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IGBT-Modul mit höchster Stromdichte: 4,9 A/cm² für 3-Level-Umrichter

27.4.2011 - Nürnberg, 27. April 2011 - Semikron präsentiert das neue MiniSKiiP IGBT-Leistungshalbleitermodul jetzt auch in 3-Level-Topologie. Mit 4,9 A/cm², dem höchsten Nennstrom pro Modulfläche im Vergleich zum Wettbewerb, und einem Leistungszweig pro Modul lassen sich kompakte Umrichter mit Ausgangsleistungen bis 85 zum vollen Artikel bei openPR - Aktuelle Pressemitteilungen der Kategorie: Energie & Umwelt

Quelle: aus dem News-Feed: openPR - Aktuelle Pressemitteilungen der Kategorie: Energie & Umwelt entnommen .

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