25.6.2013 -
Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) erreicht ersten Meilenstein bei der Aufbringung einer 10 µm dünnen Siliziumschicht auf Glas mithilfe der Laser-Kristallisation - HZB-Forscher erreichen mit 582 mV Weltrekordwert für die Leerlaufspannung für c-Si auf Glas zum vollen Artikel bei oekonews.at
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